國際標(biāo)準(zhǔn)簡稱：IEEE ELECTR DEVICE L
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《Ieee Electron Device Letters》是一本專注于ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC領(lǐng)域的English學(xué)術(shù)期刊，創(chuàng)刊于1980年，由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版，出版周期Monthly。該刊發(fā)文范圍涵蓋ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC等領(lǐng)域，旨在及時、準(zhǔn)確、全面地報道國內(nèi)外ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工作者在該領(lǐng)域的科學(xué)研究等工作中取得的經(jīng)驗、科研成果、技術(shù)革新、學(xué)術(shù)動態(tài)等。該刊已被SCIE數(shù)據(jù)庫收錄，在中科院最新升級版分區(qū)表中，該刊分區(qū)信息為大類學(xué)科工程技術(shù)2區(qū)，2023年影響因子為4.1。
IEEE Electron Device Letters publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanoelectronics, optoelectronics, photovoltaics, power ICs and micro-sensors.
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 2區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 2區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 2區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 2區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 2區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 2區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區(qū) | 否 | 否 |
中科院分區(qū)：中科院分區(qū)是SCI期刊分區(qū)的一種，是由中國科學(xué)院國家科學(xué)圖書館制定出來的分區(qū)。主要有兩個版本，即基礎(chǔ)版和升級版。2019年中國科學(xué)院文獻(xiàn)情報中心期刊分區(qū)表推出了升級版，實現(xiàn)了基礎(chǔ)版和升級版的并存過渡；升級版是對基礎(chǔ)版的延續(xù)和改進，將期刊由基礎(chǔ)版的13個學(xué)科擴展至18個，科研評價將更加明確。
| 按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 94 / 352 |
73.4%
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| 按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q1 | 77 / 354 |
78.39%
|
JCR分區(qū)：JCR（Journal Citation Reports）由科睿唯安公司（前身為湯森路透）開發(fā)。JCR沒有設(shè)置大類,只將期刊分為176個具體學(xué)科，也就是中科院分區(qū)中的小類學(xué)科。基于不同學(xué)科的當(dāng)年影響因子高低進行排序，將期刊的數(shù)量均勻分為四個部分，Q1區(qū)代表學(xué)科分類中影響因子排名前25%的期刊，以此類推，Q2區(qū)為前25%-50%期刊，Q3區(qū)為前50%-75%期刊，Q4區(qū)為75%以后期刊。
CiteScore排名：
| 學(xué)科類別 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering | Q1 | 128 / 797 |
84%
|
| 大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials | Q1 | 51 / 284 |
82%
|
CiteScore值計算方式：例如2024公布的CiteScore是將統(tǒng)計在 2020年-2023年間年所發(fā)表文章的引用次數(shù)除以在 2020年-2023年間所發(fā)表的發(fā)文總數(shù)。
CiteScore數(shù)據(jù)來源：是由全球著名學(xué)術(shù)出版商Elsevier（愛思唯爾）基于其Scopus數(shù)據(jù)庫推出的期刊評價指標(biāo)。CiteScore指數(shù)以四年區(qū)間為基準(zhǔn)來計算每本期刊的平均被引用次數(shù)，并提供期刊領(lǐng)域排名、期刊分區(qū)的相關(guān)信息，它的作用是測量期刊的篇均影響力。
近年中科院分區(qū)趨勢圖
近年IF值(影響因子)趨勢圖
影響因子：是美國科學(xué)信息研究所(ISI)的期刊引證報告(JCR)中的一項數(shù)據(jù)。指的是某一期刊的文章在特定年份或時期被引用的頻率，是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個重要指標(biāo)。自1975年以來，每年定期發(fā)布于“期刊引證報告”(JCR)。
| 機構(gòu)名稱 | 發(fā)文量 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 84 |
| UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYS... | 70 |
| XIDIAN UNIVERSITY | 56 |
| NATIONAL YANG MING CHIAO TUN... | 49 |
| HONG KONG UNIVERSITY OF SCIE... | 48 |
| PEKING UNIVERSITY | 42 |
| UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCI... | 42 |
| INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLO... | 36 |
| IMEC | 35 |
| NATIONAL SUN YAT SEN UNIVERS... | 35 |
| 國家/地區(qū) | 發(fā)文量 |
| CHINA MAINLAND | 577 |
| USA | 282 |
| South Korea | 174 |
| Taiwan | 123 |
| Japan | 65 |
| England | 60 |
| India | 49 |
| Belgium | 37 |
| GERMANY (FED REP GER) | 37 |
| France | 32 |
| 文章引用名稱 | 引用次數(shù) |
| Enhancement-Mode Ga2O3 Verti... | 38 |
| An Artificial Neuron Based o... | 36 |
| Recessed-Gate Enhancement-Mo... | 28 |
| Spin Logic Devices via Elect... | 27 |
| Current Aperture Vertical be... | 27 |
| beta-Ga2O3 Delta-Doped Field... | 26 |
| Vertical Ga2O3 Schottky Barr... | 24 |
| 1.85 kV Breakdown Voltage in... | 24 |
| Vertical Ga(2)O(3 )Schottky ... | 23 |
| First Demonstration of a Log... | 22 |
| 被引用期刊名稱 | 數(shù)量 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 1587 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 1317 |
| JPN J APPL PHYS | 594 |
| APPL PHYS LETT | 460 |
| IEEE J ELECTRON DEVI | 445 |
| APPL PHYS EXPRESS | 366 |
| SEMICOND SCI TECH | 277 |
| J APPL PHYS | 268 |
| SOLID STATE ELECTRON | 257 |
| ECS J SOLID STATE SC | 249 |
| 引用期刊名稱 | 數(shù)量 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 1317 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 865 |
| APPL PHYS LETT | 812 |
| J APPL PHYS | 318 |
| ADV MATER | 217 |
| NANO LETT | 150 |
| ACS APPL MATER INTER | 142 |
| SCI REP-UK | 138 |
| NATURE | 132 |
| APPL PHYS EXPRESS | 119 |
1、建議稿件控制10頁以上，文章撰寫語言為英語；（單欄格式，單倍行距，內(nèi)容10號字體，文稿類型包含：原創(chuàng)研究(Original Research)、案例報告(Case Report)、文獻(xiàn)綜述(Literature Review)等；文件格式包含word、PDF、LaTeX等。
2、稿件重復(fù)率控制10%以內(nèi)，論文務(wù)必保證原創(chuàng)性、圖標(biāo)、公式、引文等要素齊備，保證附屬資料的完整。已發(fā)表或引用過度的文章將不會被出版和檢索，禁止一稿多投，拒絕抄襲、機械性的稿件。
3、稿件必須有較好的英語表達(dá)水平，有圖，有表，有公式，有數(shù)據(jù)或設(shè)計，有算法（方案，模型），實驗，仿真等；參考文獻(xiàn)控制25條以上，參考文獻(xiàn)引用一半以上控制在近5年以內(nèi)。
圖片和圖表要求：1、建議使用TIFF、EPS、JPEG格式 ，TIFF格式 使用LZW壓縮。
2、文件大小最大不超過20MB，不要以單個文件的形式上傳數(shù)據(jù)。
3、彩色圖片的分辨率≥300dpi；黑白圖片的分辨率在≥500dpi；line art圖片類型的分辨率≥1000dpi；色彩模式建議采用RGB，除非期刊注明要CMYK。
4、線條不要細(xì)于0.25pt,也不能太粗，超過1.5pt,過細(xì)或過粗都影響美觀。
5、表格一般和manuscrript放置在一個word文檔里部分期刊 需要單獨上傳表格。
作者信息：1、包括作者姓名、最高學(xué)位，作者單位（精確到部門），郵箱，地址，郵編，關(guān)鍵詞，內(nèi)容，總結(jié)，項目基金，參考文獻(xiàn)，作者相片+簡介（一定要確保作者信息準(zhǔn)確無誤，提交稿件之后這部分不能再作改動）。
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中科院分區(qū) 2區(qū)
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