來(lái)源:學(xué)術(shù)之家整理 2025-03-18 15:38:23
《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》中文名稱:《IEEE Transactions on Device and Materials Reliability》,創(chuàng)刊于2001年,由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版,出版周期Quarterly。
出版物的范圍包括但不限于以下方面的可靠性:設(shè)備、材料、工藝、接口、集成微系統(tǒng)(包括 MEMS 和傳感器)、晶體管、技術(shù)(CMOS、BiCMOS 等)、集成電路(IC、SSI、MSI、LSI、ULSI、ELSI 等)、薄膜晶體管應(yīng)用。從概念階段到研發(fā)再到制造規(guī)模,在每個(gè)階段對(duì)這些實(shí)體的可靠性進(jìn)行測(cè)量和理解,為成功將產(chǎn)品推向市場(chǎng)提供了設(shè)備、材料、工藝、封裝和其他必需品的可靠性的整體數(shù)據(jù)庫(kù)。這個(gè)可靠性數(shù)據(jù)庫(kù)是滿足客戶期望的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品的基礎(chǔ)。這樣開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品具有高可靠性。高質(zhì)量將實(shí)現(xiàn),因?yàn)楫a(chǎn)品弱點(diǎn)將被發(fā)現(xiàn)(根本原因分析)并在最終產(chǎn)品中設(shè)計(jì)出來(lái)。這個(gè)不斷提高可靠性和質(zhì)量的過(guò)程將產(chǎn)生卓越的產(chǎn)品。歸根結(jié)底,可靠性和質(zhì)量不是一回事;但從某種意義上說(shuō),我們可以做或必須做一切事情來(lái)保證產(chǎn)品在客戶條件下在現(xiàn)場(chǎng)成功運(yùn)行。我們的目標(biāo)是抓住這些進(jìn)步。另一個(gè)目標(biāo)是關(guān)注電子材料和設(shè)備可靠性的最新進(jìn)展,并提供對(duì)影響可靠性的基本現(xiàn)象的基本理解。此外,該出版物還是可靠性跨學(xué)科研究的論壇。總體目標(biāo)是提供前沿/最新信息,這些信息與可靠產(chǎn)品的創(chuàng)造至關(guān)重要。
旨在及時(shí)、準(zhǔn)確、全面地報(bào)道國(guó)內(nèi)外ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工作者在該領(lǐng)域的科學(xué)研究等工作中取得的經(jīng)驗(yàn)、科研成果、技術(shù)革新、學(xué)術(shù)動(dòng)態(tài)等。
| 機(jī)構(gòu)名稱 | 發(fā)文量 |
| INDIAN INSTITUTE OF TEC... | 23 |
| IMEC | 15 |
| CENTRE NATIONAL DE LA R... | 14 |
| STMICROELECTRONICS | 10 |
| TECHNISCHE UNIVERSITAT ... | 9 |
| NATIONAL TSING HUA UNIV... | 8 |
| NATIONAL YANG MING CHIA... | 8 |
| COMMUNAUTE UNIVERSITE G... | 7 |
| GLOBALFOUNDRIES | 7 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIE... | 6 |
| 國(guó)家/地區(qū) | 發(fā)文量 |
| USA | 52 |
| CHINA MAINLAND | 51 |
| India | 50 |
| Taiwan | 35 |
| France | 20 |
| Italy | 18 |
| Belgium | 15 |
| Austria | 14 |
| Japan | 13 |
| GERMANY (FED REP GER) | 12 |
| 文章引用名稱 | 引用次數(shù) |
| A First-Principles Study of ... | 23 |
| Understanding BTI in SiC MOS... | 9 |
| Comparative Thermal and Stru... | 9 |
| Output-Power Enhancement for... | 8 |
| Rapid Solder Interconnect Fa... | 7 |
| Study of Long Term Drift of ... | 7 |
| Impacts of Process and Tempe... | 6 |
| Comparative Study of Reliabi... | 6 |
| A Compact and Self-Isolated ... | 6 |
| A Review on Hot-Carrier-Indu... | 6 |
| 被引用期刊名稱 | 數(shù)量 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 127 |
| IEEE T DEVICE MAT RE | 93 |
| MICROELECTRON RELIAB | 88 |
| IEEE ACCESS | 47 |
| IEEE T NUCL SCI | 37 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 36 |
| IEICE ELECTRON EXPR | 35 |
| IEEE T POWER ELECTR | 31 |
| J MATER SCI-MATER EL | 31 |
| ELECTRONICS-SWITZ | 30 |
| 引用期刊名稱 | 數(shù)量 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 167 |
| IEEE T NUCL SCI | 116 |
| MICROELECTRON RELIAB | 100 |
| IEEE T DEVICE MAT RE | 93 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 69 |
| APPL PHYS LETT | 59 |
| J APPL PHYS | 44 |
| IEEE T COMP PACK MAN | 24 |
| IEEE J SOLID-ST CIRC | 23 |
| IEEE T POWER ELECTR | 23 |
聲明:該作品系作者結(jié)合互聯(lián)網(wǎng)公開(kāi)知識(shí)整合。如有錯(cuò)漏請(qǐng)聯(lián)系我們,我們將及時(shí)更正。